具有全五边形网络的新型二维SiC2片层
材料科学
2013-07-25 v1
摘要
我们提出了一种有前景的二维纳米片SiC2（SiC2-五边形），由四面体硅原子和三键碳原子在全五边形网络中组成。具有翘曲构型的SiC2-五边形比其平面构型以及先前提出的具有四配位硅原子的SiC2-硅石墨烯更稳定；通过声子分析确认了其动力学稳定性。翘曲的SiC2-五边形是一种间接带隙半导体，带隙为1.388 eV。然而，其一维纳米带可以是金属或半导体，取决于边缘类型、形状和修饰。最后，我们提出了一种通过化学剥离β-SiC(001)-c(2*2) SDB表面来制备翘曲SiC2-五边形的方法。
引用
@article{arxiv.1307.6324,
title = {Novel Two-dimensional SiC2 Sheet with Full Pentagon Network},
author = {J. Liu and C. Y. He and N. Jiao and H. P. Xiao and K. W. Zhang and R. Z. Wang and L. Z. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.6324},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 6 figures