三种新型单原子厚SiC石墨炔片的电子性质与稳定性
材料科学
2014-08-26 v1
摘要
通过SCED-LCAO和DFT方法发现了三种新的单原子厚硅碳稳定系统。在这些结构中提出了一个称为“骨位”的重要位置。对于SiC和Si1C9系统，骨位部分被Si原子占据，保持平面结构，电子带隙分别打开为0.955 eV和0.689 eV。对于Si2C8系统，骨位完全被Si原子占据，显示出褶皱结构，褶皱为0.05 Å，并在M点出现狄拉克锥。此外，在SiC系统中发现了Si和C原子之间的sp杂化，在Si2C8系统中还发现了sp、sp2和sp3杂化共存。这三种系统的热稳定性得到了证实。
引用
@article{arxiv.1408.5450,
title = {Electronic properties and stability of three new kinds of single-atom-thick SIC graphyne sheets},
author = {Xiao Yan and Zihua Xin and M. Yu and Jiaojiao Zhang and Mihai Deng and Lijun Tian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.5450},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 7 figures