新型二维硫化钒材料：合成、原子结构调控与电荷密度波
材料科学
2024-12-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
通过分子束外延制备了两种基于VS2的新型极薄富钒二维材料，并利用扫描隧道显微镜、X射线光电子能谱和密度泛函理论计算对其进行了研究。通过在退火过程中改变样品覆盖度和硫压强，实现了化学计量单层VS2或两种富钒材料中任一种的可控合成。通过对无硫压强的化学计量单层VS2小岛进行退火，硫空位自发地在一维阵列中有序排列，从而产生图案化吸附。通过密度泛函理论计算与扫描隧道显微镜数据的对比，确定了化学计量比为V4S7的缺硫相的原子结构。通过沉积更大量的钒和硫，随后在富硫气氛中退火，获得了自插层极薄V5S8衍生层，其在VS2片层之间含有2×2的钒层。我们提供了最薄V5S8衍生结构的原子模型。最后，我们利用扫描隧道谱研究了在二维V5S8衍生岛中观察到的电荷密度波。
引用
@article{arxiv.2306.16792,
title = {Novel 2D vanadium sulphides: synthesis, atomic structure engineering and charge density waves},
author = {Camiel van Efferen and Joshua Hall and Nicolae Atodiresei and Virgínia Boix and Affan Safeer and Tobias Wekking and Nikolay Vinogradov and Alexei Preobrajensk and Jan Knudsen and Jeison Fischer and Wouter Jolie and Thomas Michely},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.16792},
year = {2024}
}