具有分子工程隧穿势垒的非易失性存储器
介观与纳米尺度物理
2008-04-17 v1 材料科学
摘要
我们报告了一种通过在 SiO2 中嵌入 C60 用于非易失性存储器应用的新型场敏感隧穿势垒。由于其单分散性，C60 是比超小纳米晶体更好的选择。此外，C60 提供了可及的能级，以促进在高场下通过 SiO2 的共振隧穿。然而，由于 C60 的 HOMO-LUMO 能隙和大充电能，该过程在低场下被猝灭。此外，我们证明了金属纳米晶体存储器的保留时间与编程/擦除时间之比提高了超过一个数量级。这表明未来混合分子 - 硅电子学中通过集成分子来工程化隧穿电介质的前景。
引用
@article{arxiv.0803.4038,
title = {Nonvolatile memory with molecule-engineered tunneling barriers},
author = {Tuo-Hung Hou and Hassan Raza and Kamran Afshari and Daniel J. Ruebusch and Edwin C. Kan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.4038},
year = {2008}
}
备注
to appear in Applied Physics Letters