硅基底上富勒烯基分子结的合成与电学性质
介观与纳米尺度物理
2010-04-02 v2 材料科学
摘要
我们报道了硅基底上富勒烯基分子结的合成与电学性质，其中高度 π 共轭的 C60 分子（π 量子阱）通过烷基链（σ 隧道势垒）与电极隔离。首先，通过顺序合成（3 种不同路线）或直接接枝预合成的 C60-σ-Si(OEt)3 分子制备了 Si/SiO2/σC60 结构。我们描述了这些路线的化学合成以及分子单层的物理化学性质。然后，通过施加覆盖有烷基硫醇单层的悬挂汞滴电极，在 Si/SiO2/σ C60 结上添加了第二个 σ 隧道势垒。我们比较了 Si/SiO2/σ C60//Hg 和 Si/SiO2/σ C60//σHg 分子结的电子输运性质，并通过跃迁电压谱证明，通过改变 C60 核心与 Hg 金属电极之间的烷基链长度（即从直接的 C60//Hg 接触到 14 个碳原子的隧道势垒），富勒烯的 LUMO 与金属费米能级之间的偏移量可以从约 0.2 eV 调节到约 1 eV。
引用
@article{arxiv.1003.1371,
title = {Synthesis and electrical properties of fullerene-based molecular junctions on silicon substrate},
author = {D. Guerin and S. Lenfant and S. Godey and D. Vuillaume},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1371},
year = {2010}
}
备注
Single pdf file including: main text, figures, tables and supporting information.