用于基于 SrCoOx 绝缘体/金属铁磁体转变的非易失性存储器的不同电导率无泄漏电解质
材料科学
2018-03-08 v1
摘要
通过使用具有不同电导率 (s) 的无液体泄漏电解质作为栅绝缘体，研究了基于 SrCoOx 的薄膜晶体管结构非易失性存储器的电化学开关特性。我们首先研究了掺入具有纳米多孔结构的非晶 (a-) 12CaO·7Al2O3 薄膜 (CAN) 中的无泄漏水，但 SrCoOx 层的电化学氧化/还原需要在高达 20 V 的栅极电压 (Vg) 下持续极长的保持时间 (t) 40 分钟，这主要是由于无泄漏水的低电导率 s（室温下为 2.0 × 10⁻⁸ S cm⁻¹）。随后，我们通过改变 x = 0.01–1.0，将渗入具有纳米柱阵列结构的 a-NaxTaO3 薄膜中的无泄漏电解质的 s 在室温下从 8.0 × 10⁻⁸ S cm⁻¹ 调控至 2.5 × 10⁻⁶ S cm⁻¹。结果表明，随着 a-NaxTaO3 无泄漏电解质 s 的增加，在 Vg = -3 V 的小栅压下 SrCoOx 层金属化所需的 t 缩短了两个数量级。这些结果表明，与其他电化学过程相比，无泄漏电解质中的离子迁移是电化学开关的速率决定步骤，而高 s 的无泄漏电解质是开发非易失性 SrCoOx 基电磁相开关器件的关键因素。
引用
@article{arxiv.1706.00132,
title = {Leakage-free electrolytes with different conductivity for non-volatile memory device utilizing insulator/metal ferromagnet transition of SrCoOx},
author = {Takayoshi Katase and Yuki Suzuki and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00132},
year = {2018}
}