单晶 Bi2Se3 中的非化学计量掺杂与 Bi 反位缺陷
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
我们研究了由化学计量和非化学计量自助熔剂 Bridgman 生长产生的 Bi2Se3 缺陷。生长习性、晶格尺寸和输运性质受所产生缺陷类型的强烈影响。通过扫描透射电子显微镜 (STEM) 结合能量色散 X 射线谱 (STEM-EDX) 的直接原子尺度成像，以及 X 射线衍射和霍尔效应测量的综合研究，确定了主要的缺陷类型为 Bi_Se 反位和部分 Bi_2 层插层。我们就缺陷类型的起源、生长形貌和输运性质提出了一致的解释。
引用
@article{arxiv.1208.1568,
title = {Nonstoichiometric doping and Bi antisite defect in single crystal Bi2Se3},
author = {F. -T. Huang and M. -W. Chu and H. H. Kung and W. L. Lee and R. Sankar and S. -C. Liou and K. K. Wu and Y. K. Kuo and F. C. Chou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1568},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures