辐射诱导磁阻振荡中振幅随微波强度的非线性增长

我们报道了在W. Wegscheider小组制备的GaAs/AlGaAs异质结构中观测到的逆磁场周期、辐射诱导的磁阻振荡，将其特性与V. Umansky材料中的类似振荡进行了比较，并描述了两种系统中线形随辐射功率$P$的变化。我们发现，两种材料中辐射诱导的振荡$\Delta R_{xx}$均可由$\Delta R_{xx} = -A exp(-\lambda/B)sin(2 \pi F/B)$描述，其中$A$为振幅，$\lambda$为阻尼参数，$F$为振荡频率。结果表明，$\lambda$和$F$均对$P$不敏感。另一方面，$A$随$P$非线性增长。