二维电子系统中光激发电阻振荡的亚线性辐射功率依赖性

我们发现 GaAs/AlGaAs 系统中 $R_{xx}$ 辐射诱导磁电阻振荡的振幅非线性增长，满足 $A \propto P^{\alpha}$，其中 $A$ 是振幅，指数 $\alpha < 1$。这一显著结果可以用辐射驱动电子轨道模型解释，该模型表明电阻振荡的振幅线性依赖于辐射电场，因此线性依赖于功率的平方根 $P$。我们还研究了这种亚线性幂律如何随晶格温度和辐射频率变化。