石墨烯纳米带的非线性电导量子化

我们对源极和漏极之间施加偏压时石墨烯纳米带的非线性导电现象进行了数值研究。我们发现，如果纳米带中的电势等于源极或漏极电势，并且发生强烈的电子（空穴）散射，则电导量子化平台在电子和空穴分支之间表现出不对称性。该散射可能发生在连接石墨烯较宽区域的均匀弹道纳米带的末端，也可能是由于纳米带中的缺陷引起的。我们论证了，在具有强缺陷散射的纳米带中，对于电子（空穴）输运，纳米带电势被钉扎在漏极（源极）电势上。在这种情况下，电子和空穴输运之间的对称性得以恢复，并且我们的计算解释了随着偏压增加电导平台向上移动的现象，该现象已被 Lin 等人 [Phys. Rev. B 78, 161409 (2008)] 在实验中观察到。