基于掺杂La_{2}CuO_{4}和SrTiO_{3}异质结构的非易失性门控可变电阻器
材料科学
2013-01-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过沉积掺杂La_{2}CuO_{4}和SrTiO_{3}层的外延异质结构，制造了门控可变电阻器。其电导变化作为写入电流I和写入时间t的函数，遵循一个简单的经验定律：ΔG/G = C I^A t^B。该行为与离子输运一致，离子输运随电场强度呈指数加速。
引用
@article{arxiv.1203.4406,
title = {Non-volatile gated variable resistor based on doped La_{2}CuO_{4} and SrTiO_{3} heterostructures},
author = {Dieter Weber and Ulrich Poppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4406},
year = {2013}
}
备注
Communication