铁磁半导体中的非热光矫顽效应
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们报道了在低掺杂(Ga,Mn)As铁磁半导体中，极低强度光照下矫顽场的光致变化，即光矫顽效应(PCE)。我们发现PCE与样品电阻率之间存在强相关性。磁化反转的空间分辨动力学排除了热加热在该PCE起源中的任何作用，我们提出了一种基于光致降低畴壁钉扎能的机制。PCE是局域且可逆的，允许使用光写入和擦除磁图像。
引用
@article{arxiv.0810.4027,
title = {Non-thermal photocoercivity effect in a ferromagnetic semiconductor},
author = {G. V. Astakhov and H. Hoffmann and V. L. Korenev and T. Kiessling and J. Schwittek and G. M. Schott and C. Gould and W. Ossau and K. Brunner and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4027},
year = {2015}
}