外禀多铁材料中由逆磁光伸缩效应实现的静动态磁化调控

本工作中，在外禀多铁复合材料中展示了利用光伸缩效应对静态与动态磁性质进行调控。该光伸缩效应由光谱蓝可见光区域实现。复合材料由 5 nm 或 10 nm 磁致伸缩 Fe$_{81}$Ga$_{19}$ 薄膜与压电 (011)-Pb(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_3$-Pb(Zr,Ti)O$_3$ 衬底耦合而成。在逆磁光伸缩效应（CMPE）下，角依赖的磁化反转性质被大幅增强或削弱。CMPE 强度通过一种名为逆磁光伸缩耦合系数的新系数进行分析。该系数被提出作为在逆磁光伸缩效应下分析与比较不同外禀多铁材料的一般方法。其厚度依赖性表明，CMPE 强度随 Fe$_{81}$Ga$_{19}$ 厚度增加而下降。随后，铁磁共振测量给出了 CMPE 下动态磁性质受控的实验证据。共振场在 CMPE 下发生偏移，而其线宽保持不变。此外，共振场偏移可正可负，取决于面内角度。5 nm 样品在 CMPE 下获得的最大偏移为 +5.7%。我们的研究表明，CMPE 为调控外禀多铁材料中的静态及动态磁性质提供了有效途径。