高频工作下石墨烯场效应晶体管中的非准静态效应
应用物理
2020-09-18 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了石墨烯场效应晶体管（GFETs）中的非准静态（NQS）效应，该效应因显著的载流子惯性而关乎 GFET 在高频下的工作。由漂移-扩散方程与连续性方程的解析解导出小信号 NQS 模型，其可用第一类修正贝塞尔函数表示。该 NQS 模型可方便化简，给出由集总元件组成的等效电路，可直接用于标准电路仿真器。仅考虑一阶 NQS 效应，即可进行高达截止频率（fT）数倍的精确基于 GFET 的电路仿真。值得注意的是，当工作频率低于约 fT/4 时，其退化为准静态（QS）方法。为验证 NQS 模型，我们将其结果与基于多段方法的仿真进行对比，后者将沟道长度划分为 N 个相等段，每段由 QS 模型描述。
引用
@article{arxiv.1907.12831,
title = {Non-quasi-static effects in graphene field-effect transistors under high-frequency operation},
author = {Francisco Pasadas and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.12831},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 5 figures, 3 tables (Supp Info 23 pages and 4 figures)