非局域屏蔽通道与VO₂金属-绝缘相转变
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了VO₂金属-绝缘相转变过程中电子结构的变化。主要采用含非局域屏蔽通道的簇模型计算技术。计算中包含了金属相在费米能级上形成的局域态的屏蔽效应，以及绝缘相中V-V二聚体内相邻V原子位点的屏蔽效应。金属VO₂中V 3d能带的相干与非相干特征均为良好被屏蔽的态，而真正的 poorly 屏蔽的3d⁰态由于相对较大的U值，能级更深。绝缘相中的非局域屏蔽态涉及U值，因而能级更高。非局域屏蔽通道的变化导致能隙形成，引起绝缘相的出现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601611,
title = {Non-local screening channels and metal-insulator transition in VO2},
author = {R. J. O. Mossanek and M. Abbate},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601611},
year = {2007}
}