利用单电子晶体管阶跃响应非平衡探测双能级电荷涨落器
介观与纳米尺度物理
2015-02-05 v1
摘要
我们报告了一种研究双能级涨落器 (TLFs) 的新方法，即通过测量对单电子晶体管栅极电极施加突变阶跃电压后 induced 的偏移电荷。我们在三种不同衬底制成的样品上测量了超过 20 小时的偏移电荷。我们发现偏移电荷漂移遵循对数增长规律，时间跨度达四个数量级，且对数斜率随阶跃电压线性增加。电荷漂移与温度无关，排除了热激活 TLFs 的可能性，并表明电荷涨落涉及隧穿效应。这些观测结果与处于非平衡态驱动的 TLFs 系综的预期一致。根据我们的模型，我们分别假设体积密度或表面密度提取了 TLFs 的密度。
引用
@article{arxiv.1408.6496,
title = {Non-equilibrium probing of two-level charge fluctuators using the step response of a single electron transistor},
author = {A. Pourkabirian and M. V. Gustafsson and G. Johansson and J. Clarke and P. Delsing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6496},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures