单电子隧穿层面的不可逆性
介观与纳米尺度物理
2012-01-20 v2
摘要
我们提出了对双量子点中电子输运的涨落定理的低温实验检验。通过使用量子点接触的时间分辨电荷检测，以逆源漏偏压流动的单电荷形式探测到了罕见的熵消耗系统轨迹。我们发现，即使在强非平衡条件下，当考虑电荷检测的有限带宽时，这些轨迹出现的频率与理论预测一致。
引用
@article{arxiv.1107.4240,
title = {Irreversibility on the Level of Single-Electron Tunneling},
author = {B. Küng and C. Rössler and M. Beck and M. Marthaler and D. S. Golubev and Y. Utsumi and T. Ihn and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4240},
year = {2012}
}