约瑟夫森结量子比特中二能级系统的饱和与电荷噪声
超导电性
2009-11-13 v2
摘要
我们研究了由衬底中具有电偶极矩的涨落二能级系统（TLS）产生的约瑟夫森量子比特中的电荷噪声S_Q。TLS由角频率为Ω、电场强度为I的交变电场驱动。人们普遍未认识到，如果I≫I_c（其中I_c是临界电场强度），小量子比特中的TLS很容易被强烈饱和。为了研究饱和对电荷噪声的影响，我们将噪声谱密度表示为密度矩阵元。为了确定密度矩阵元对比值I/I_c的依赖性，我们使用Bloch-Redfield微分方程找到了密度矩阵的稳态解。然后，我们得到了电荷涨落谱密度作为频率f和比值I/I_c的函数的表达式。我们发现低频下的1/f电荷噪声，以及高频下电荷噪声是白噪声（常数）。使用平坦态密度，我们发现TLS饱和对高频或低频下的电荷噪声没有影响。
引用
@article{arxiv.0810.1334,
title = {Saturation of Two Level Systems and Charge Noise in Josephson Junction Qubits},
author = {Magdalena Constantin and Clare C. Yu and John M. Martinis},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.1334},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 9 figures, accepted for publication in Phys. Rev. B