整数量子霍尔区域边缘态中的噪声退相干

在填充因子为 2 的整数量子霍尔区域，利用电子 Mach-Zehnder 干涉仪研究干涉的退相干现象。研究发现，这是由彼此电容耦合的边缘态中存在的电噪声引起的。在一个通道中产生的电散粒噪声会导致另一个通道中的相位随机化，从而破坏干涉图样。这些发现被扩展至由热噪声而非散粒噪声引起的退相干：这解释了最近实验中测得的填充因子为 2 时边缘态有限温度相干时间 $\tau_\phi(T)$ 的潜在机制。最后，我们提出了一种基于高斯噪声的退相干理论，该理论与我们的实验结果吻合极好。