通过非高斯脉冲噪声实现电子受控退相
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
在‘受控退相’实验[1-3]中，干涉仪因与受控量子系统（‘which path’探测器）的纠缠而失去其相干性。在迄今进行的 mesoscopic 系统实验中，仅实现了部分退相。这源于许多探测器电子与干涉电子之间的弱相互作用，导致高斯相随机化过程[4-10]。本文报告了另一种极端情况：通过仅少数探测器电子的强相位随机化，实现对干涉电子的完全干涉破坏。该实现基于在整数量子霍尔效应 regime（填充因子为 2）下，马赫-策孙电子干涉仪中的边缘通道。意外地，随着探测器电流增加，干涉可见度呈周期性的波形形式衰减；即，随着探测器电流（因此探测器效率）的增加，干涉可见度周期性地减小。此外，干涉可见度对探测器电流分区的 V 形依赖，而非预期的对脉冲噪声第二矩 T(1-T) 的依赖（T 为分区）。我们将这些意外现象归因于强的探测器-干涉仪耦合，使得仅 1-3 个探测器电子即可完全退相干涉电子。因此，本工作探索了噪声的非高斯性质[11]，即脉冲噪声全计数统计[12-15]的直接作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610634,
title = {Controlled Dephasing of Electrons by Non-Gaussian Shot Noise},
author = {I. Neder and F. Marquardt and M. Heiblum and D. Mahalu and V. Umansky},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610634},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 figures