带电规则黑洞的新解及其稳定性

我们通过将 de Sitter 解与 Reissner-Nordstrom 解匹配，并引入一个类时薄壳，构建了新的规则黑洞解。假设该薄壳具有质量但无压强，并遵循由 Israel 连接条件导出的运动方程。通过研究薄壳的运动方程，我们获得了带电规则黑洞的稳态解并检验了其稳定性。稳态解存在于 $0.87L < m < 1.99L$ 的有限范围内；当 $M>0$ 时，对于固定的 $m$、$M$ 和 $Q$ 值，这些解对薄壳的小径向位移是稳定的，其中 $L$ 为 de Sitter 视界半径，$m$ 为黑洞质量，$M$ 为薄壳的固有质量，$Q$ 为黑洞电荷。所有获得的解在 $Q/m >0.866$ 意义上均为高电荷态。通过对当前规则黑洞解取薄壳质量为零的极限，我们得到了 Lemos 和 Zanchin 提出的具有无质量薄壳的带电规则黑洞，并研究了其解的稳定性。研究发现，由当前规则黑洞解的无质量极限给出的 Lemos 和 Zanchin 规则黑洞解允许存在稳定解，这些解是通过 $M \to 0$ 的极限获得的。