低温下薄层Pt与W薄膜中的能斯特-埃廷斯豪森效应
介观与纳米尺度物理
2023-05-17 v1 材料科学
摘要
随着自旋热电子学测量成为日益常见的材料表征技术，量化潜在的混杂效应十分重要。我们报道了在Pt和W薄膜导线中从室温至5 K的能斯特-埃廷斯豪森响应的测量，这两种金属常作为自旋塞贝克表征中的逆自旋霍尔探测器。我们使用约翰逊-奈奎斯特噪声测温法评估低温下金属随加热功率的温度变化，并通过有限元建模分析热路径。发现W的能斯特-埃廷斯豪森响应近似与温度无关，而Pt的响应在低温下增强。这些结果结合理论预期以及Pt中磁性杂质的可能作用进行了讨论。
引用
@article{arxiv.2303.08055,
title = {Nernst-Ettingshausen effect in thin Pt and W films at low temperatures},
author = {Renjie Luo and Tanner J. Legvold and Liyang Chen and Douglas Natelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.08055},
year = {2023}
}
备注
14 pages, 3 figures + supplementary material of 12 pages and 5 figures