利用片上局部加热的自旋塞贝克器件
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1
摘要
利用片上加热器制备了一种微图案化的自旋塞贝克器件。电流通过 Au 加热层驱动，该加热层与由 FeO（绝缘亚铁磁体）和自旋探测层组成的双层结构电隔离。研究表明，通过这种方法可以测量小面积磁性器件的纵向自旋塞贝克效应 (SSE)，其效果等同于传统的宏观 SSE 实验。利用锁相探测技术，可以更灵敏地表征各种自旋探测材料中的 SSE、反常能斯特效应 (ANE) 以及逆自旋霍尔效应。通过将自旋探测层用作温度计，我们可以获得横跨器件的温度梯度值。这些结果与通过器件结构的电磁/热模拟以及大面积自旋塞贝克测量所获得的值吻合良好。
引用
@article{arxiv.1501.07599,
title = {Spin Seebeck devices using local on-chip heating},
author = {Stephen M. Wu and Frank Y. Fradin and Jason Hoffman and Axel Hoffmann and Anand Bhattacharya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.07599},
year = {2015}
}