石墨烯上的单价杂质：中隙态与迁移势垒
介观与纳米尺度物理
2009-09-08 v1 无序系统与神经网络
摘要
石墨烯上的单价杂质可分为离子键杂质和共价键杂质。共价键杂质会产生普适的中隙态，因为杂质相邻的碳原子实际上与石墨烯的π带解耦。石墨烯的电子结构抑制了这些杂质的迁移，并使普适中隙态非常稳定。这种效应对中性共价键杂质最为显著。离子键杂质的迁移势垒通常低于0.1 eV。预测阴离子和阳离子在吸附位点及其势能面拓扑结构上存在不对称性。
引用
@article{arxiv.0903.2006,
title = {Monovalent impurities on graphene: midgap states and migration barriers},
author = {T. O. Wehling and M. I. Katsnelson and A. I. Lichtenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.2006},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, 2 tables