具有正弦振荡响应的非局域克尔介质中的调制不稳定性

我们讨论了具有正弦振荡响应函数的非局域克尔介质中平面波的调制不稳定性（MI），该介质可以模拟具有负介电各向异性的向列型液晶。在非局域非线性薛定谔方程框架下的结果表明，该系统中的 MI 具有两个非凡的特性。首先，MI 在负克尔系数 $(n_{2}<0)$ 和正克尔系数 $(n_{2}>0)$ 两种情况下均存在。其次，MI 的最大增益不受平面波强度的影响，且最大增益的波数（空间频率）取决于响应函数的振荡周期。据我们所知，我们还首次在四波混频（FWM）框架下探索了 MI 的物理机制。通过引入相位失配项 $\triangle k$ 和（非线性）增长因子 $\gamma$（两者均具有明确的物理意义），我们发现 MI 出现的充分必要条件是 FWM 过程中的相位失配足够小，使得 $|\triangle k|<2|\gamma|$。基于这一发现，我们提出了一种新的方案，用以统一且一致地解释为何 MI 能在聚焦型局域克尔介质中发生而不能在散焦型局域克尔介质中发生，以及非局域情形下的 MI 现象。