利用可变厚度 VOPc 层调控 WSe$_2$ 中的自旋-谷弛豫
介观与纳米尺度物理
2025-01-07 v2
摘要
将分子化合物的合成可调性与源自自旋-谷耦合的过渡金属硫族化物（TMDC）的光学选择规则相结合，可为量子信息的读出提供有趣机遇。然而，关于此类界面处的电子与自旋相互作用及其对自旋-谷弛豫的影响所知甚少。在本工作中，将酞菁氧钒（VOPc）分子层热蒸发于 WSe 上，以探究分子层厚度对激发态自旋-谷极化的影响。最薄的分子层支持一种界面态，其几乎瞬时摧毁自旋-谷极化，而较厚的分子层则导致比单独 WSe 单层更长寿的自旋-谷极化。该机制似乎涉及分子/TMDC 界面处一种紧密结合的物种，其增强了交换相互作用，并在较厚 VOPc 层中得以大体避免，后者将电子与 WSe 空穴隔离。
引用
@article{arxiv.2310.06979,
title = {Modulating spin-valley relaxation in WSe$_2$ with variable thickness VOPc layers},
author = {Daphné Lubert-Perquel and Byeong Wook Cho and Alan J. Philips and Young Hee Lee and Jeffrey L. Blackburn and Justin C. Johnson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.06979},
year = {2025}
}