Cr 吸附层对 Ni2MnGa(100) 电子结构与形貌的修饰
材料科学
2021-08-23 v3
摘要
本工作研究了 Cr 吸附层在 Ni2MnGa(100) 的 Mn-Ga 终止表面的生长。我们利用扫描隧道显微镜显示了高达 4 原子层高度的外延 Cr 层岛状形成，而核心能级 X 射线光电子能谱（XPS）表明吸附层与衬底无任何混合。通过扫描隧道谱测量的薄 Cr 层（2.7 ML）态密度（DOS）与密度泛函理论（DFT）高度吻合，确立其为铁磁性。相比之下，同样在 Ni2MnGa(100) 上外延生长的厚 Cr 层，通过将其 XPS 价带与 DFT 计算的体相 Cr 的 DOS 比较，显示为反铁磁性。
引用
@article{arxiv.2107.01503,
title = {Modification of electronic structure and morphology of Ni2MnGa(100) by Cr adlayers},
author = {Abhishek Rai and Jayita Nayak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.01503},
year = {2021}
}