利用数据压缩缓解 STT-RAM 缓存中的读干扰错误
硬件体系结构
2017-11-21 v1
摘要
由于其高密度与接近 SRAM 的读延迟，自旋转移矩 RAM（STT-RAM）被视为设计大容量末级缓存（LLCs）最有前途的新兴存储技术之一。然而，在深亚微米区域，STT-RAM 表现出读干扰错误（RDE），即读操作可能修改所存数据值，这对 STT-RAM 缓存的性能与可靠性构成严重威胁。本文提出一种名为 SHIELD 的技术，以缓解 STT-RAM LLC 中的 RDE。SHIELD 使用数据压缩来减少从 STT-RAM 块发出的读操作数量，从而避免 RDE，并减少在写与恢复操作期间写入缓存的位数。实验结果表明，SHIELD 在性能与能效上均有显著改善。SHIELD 比两种先前的 RDE 缓解技术——即高电流恢复必需读（HCRR，亦称读后恢复）与低电流长延迟读（LCLL），甚至比理想的无 RDE STT-RAM 缓存消耗更少能量。
引用
@article{arxiv.1711.06790,
title = {Mitigating Read-disturbance Errors in STT-RAM Caches by Using Data Compression},
author = {Sparsh Mittal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.06790},
year = {2017}
}
备注
Book Chapter