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反铁磁畴壁的微观与宏观特征

材料科学 2015-06-25 v1

摘要

对元素反铁磁体 Cr 的小单晶的磁输运测量揭示了畴结构的滞后热力学。输运系数的温度依赖性直接与通过 X 射线微探针成像记录的畴构型的实空间演化相关,揭示了反铁磁畴壁对电子输运的影响。在 100 K 的温度下,单个反铁磁畴壁的界面电阻被推断为约 5×105μΩcm25\times10^{-5}\mathrm{\mu\Omega\cdot cm^{2}}

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0612039,
  title  = {Microscopic and Macroscopic Signatures of Antiferromagnetic Domain Walls},
  author = {R. Jaramillo and T. F. Rosenbaum and E. D. Isaacs and O. G. Shpyrko and P. G. Evans and G. Aeppli and Z. Cai},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612039},
  year   = {2015}
}

备注

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