具有强谷间散射的 SOI 量子阱中的金属性行为
材料科学
2015-08-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
由于新型和热点材料中的电子拥有这一自由度，以及近期关于谷电子学器件的提议，谷的基本性质近来正吸引着越来越多的关注。在硅 MOSFET 中，这种关注有着更长的历史，因为谷自由度已被确定为在二维中观测有争议的“金属性行为”的关键参数。然而，尽管最近已经证明解除谷简并可以破坏金属性行为，但关于谷间散射的作用却知之甚少。在这里，我们展示了在绝缘体上硅（SOI）量子阱中，即使存在强谷间散射，也能观察到金属性行为。从量子修正的角度对电导率的分析表明，在 SOI 中相互作用比在传统 MOSFET 中强得多，从而导致了尽管存在强谷间散射仍出现金属性行为。在 AlAs、硅 2--4、石墨烯等材料中操纵谷自由度前景广阔，
引用
@article{arxiv.1508.06848,
title = {Metallic behaviour in SOI quantum wells with strong intervalley scattering},
author = {V. T. Renard and I. Duchemin and Y. Niida and A. Fujiwara and Y. Hirayama and K. Takashina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.06848},
year = {2015}
}
备注
Supplementary code for the calculation of WL with intervalley scattering available at the publisher's site