外延单层WSe2中谷间量子干涉的观测
材料科学
2015-09-09 v1
摘要
单层过渡金属硫族化合物(TMDs)近来因其非凡性质受到极大研究关注，特别是奇异的自旋-谷耦合电子结构，有望用于未来自旋电子学和谷电子学应用。ML TMDs的能带具有良好分离的谷，构成低能载流子的额外内部自由度。TMDs中的大自旋轨道耦合使自旋指标锁定于谷指标，这有一些有趣后果如2H双层中的磁电效应。对自旋-谷耦合电子结构的直接实验表征对基础物理和器件应用都很有意义。本工作中，我们报道了利用低温(LT)扫描隧道显微镜/谱(STM/S)在ML WSe2中首次实验观测到准粒子干涉(QPI)图样。我们观察到由于自旋守恒散射过程导致的导带中涉及Q-谷的谷间量子干涉，而自旋翻转谷间散射不存在。该实验明确确立了自旋-谷耦合的存在，并确认了Q谷处的大自旋分裂。重要的是，低效的自旋翻转谷间散射意味着ML WSe2中长的谷和自旋寿命，这是谷-自旋电子学应用的一个关键品质因数。
引用
@article{arxiv.1507.07637,
title = {Observation of intervalley quantum interference in epitaxial monolayer WSe2},
author = {Hongjun Liu and Jinglei Chen and Hongyi Yu and Fang Yang and Lu Jiao and Gui-Bin Liu and Wingking Ho and Chunlei Gao and Jinfeng Jia and Wang Yao and Maohai Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07637},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures