强关联电子系统中霍尔常数的记忆函数方法：第二部分

在强关联电子系统模型中研究了高T_c超导体正常态中霍尔常数的反常频率和掺杂依赖性。在Mori理论中，霍尔常数从无限频率到零频率的转变由记忆函数描述。它自然地引入了第二个时间尺度，在t-J模型中，该时间尺度被认定为Anderson的自旋子弛豫时间。这为我们提供了对频率低于莫特-哈伯德能隙时霍尔常数频率和温度依赖性之间相互作用的唯象理解。在$U\gg t$极限下的单带哈伯德模型中，通过其矩计算记忆函数，并表明它投影出高能标度U。这导致当频率从无穷大降低到莫特-哈伯德能隙内的值时，霍尔常数减小因子$(1+\delta)/2$（$\delta$：掺杂）。最后，概述了如何在低频区域计算霍尔常数。