氢原子碰撞诱导半导体表面非绝对性Interband转换的机理解析
化学物理
2024-05-24 v1
摘要
为理解近期观察到的针对半导体表面 Ge(111)c(2*8) 的高温 H 原子散射的神秘非绝对性能量传递现象, 我们构建了基于Kohn-Sham轨道时间演化和经典路径近似的混合量子-经典非绝对性分子动力学模型。我们的结果表明, 在休止原子位点上可进行顺利的非绝对性跃迁, 其中价带电子被激发到导带, 而在吸附原子位点则不发生此类跃迁。这种显著的位点特异性可归因于在不同表面位点上发生激能 H 碰撞后局部能带结构的变化, 导致休止原子处于临近退轨态并发生占据轨道与未占据轨道之间的显著耦合, 而吸附原子位点则不出现此类耦合。这些见解为半导体表面的碰撞性非绝对性动力学提供了重要参考。
引用
@article{arxiv.2405.13361,
title = {Mechanistic Insights into Non-Adiabatic Interband Transitions on a Semiconductor Surface Induced by Hydrogen Atom Collisions},
author = {Lingjun Zhu and Qijing Zheng and Yingqi Wang and Kerstin Krüger and Alec M. Wodtke and Oliver Bünermann and Jin Zhao and Hua Guo and Bin Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.13361},
year = {2024}
}