嵌入式面内自组装纳米线形成的机制
材料科学
2020-07-01 v1
摘要
我们报道了一种在共沉积 Er0.3Ga0.7Sb 通过分子束外延（MBE）形成面内 [1-10] 取向 ErSb 纳米线的新生长机制。纳米线通过原位扫描隧道显微镜（STM）、以及非原位透射电子显微镜（TEM）和电子通道衬度成像（ECCI）进行表征。我们表明，在纳米线生长过程中形成了台阶高度约为 7 nm 的大台阶复合体。大台阶被证明是面内纳米线生长过程的一部分，并直接导致了所观察到的面内纳米线的层状分布。TEM 表明初始生长产生面外纳米线，在临界膜厚后转变为面内纳米线。我们提出了一个表面能模型，表明该临界厚度是由于面外纳米线生长过程中形成的 GaSb{110} 表面的能量最小化所致。结合 STM 中观察到的特征以及实现面内纳米线生长所需的材料参数，讨论了该转变的动力学。
引用
@article{arxiv.1909.08690,
title = {Mechanism for Embedded In-plane Self Assembled Nanowire Formation},
author = {Nathaniel S Wilson and Stephan Kraemer and Daniel J. Pennachio and Patrick Callahan and Mihir Pendharkar and Christopher J Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.08690},
year = {2020}
}