平面透射电子显微镜对 III-V 族纳米线的研究：InN 案例
材料科学
2014-09-30 v2
摘要
我们讨论了通过平面高分辨透射电子显微镜（TEM）对 InN 纳米线（NWs）的观测。主要困难在于缺乏适用于平面样品制备的合适方法。我们探索了不同的途径，发现使用一种基于传统薄膜平面 TEM 程序并专门针对纳米线形貌进行改进的精细制备方法可获得最佳结果。这种制备的基本方面包括纳米线的初始机械稳定化，以及在样品减薄至穿孔后最小化离子铣削过程。结合纳米线的平面和截面 TEM 分析，可以确定应变弛豫程度，并揭示 InN 纳米线周围形成了一层非故意的壳层（厚 2-3 nm）。该壳层由具有特定取向的 bcc-In2O3 纳米晶组成，相对于纤锌矿 InN 的取向关系为：In2O3 [111] || InN [0001] 和 In2O3 <110> || InN <11-20>。
引用
@article{arxiv.1312.4809,
title = {Investigation of III-V Nanowires by Plan-View Transmission Electron Microscopy: InN Case Study},
author = {E Luna and J Grandal and E Gallardo and J M Calleja and M A Sánchez-García and E Calleja and A Trampert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.4809},
year = {2014}
}