二维浅层电路中的测量诱导纠缠相变
量子物理
2022-11-08 v1 统计力学
摘要
我们制备由浅层电路生成的二维态，该电路由（1）一层双量子比特CZ门或（2）几层双量子比特随机Clifford门构成。在测量所有体量子比特后，我们研究一维边界上剩余量子比特的纠缠结构。在第一个模型中，我们观察到体X与Z测量之间的竞争可导致纠缠体积律相与退纠缠面积律相之间的纠缠相变。我们数值评估了临界指数，并将该思想推广到局域希尔伯特空间维数大于2的其他准粒子系统。在第二个模型中，我们通过改变每层双量子比特门的密度观察到纠缠相变。我们用随机键Ising模型对由随机Haar门构成的类似浅层电路中的这一相变给出了解释。
引用
@article{arxiv.2203.07510,
title = {Measurement induced entanglement transition in two dimensional shallow circuit},
author = {Hanchen Liu and Tianci Zhou and Xiao Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.07510},
year = {2022}
}