Haldane-Hubbard 模型中磁序驱动拓扑相变

在本快报中，我们研究半填充下有在位排斥相互作用的 Haldane 模型。我们表明具有磁序的平均场哈密顿量有效地修改了 Haldane 哈密顿量中的参数，例如子晶格能量差和次近邻跳跃中的相位。随着相互作用增强，磁序的增加对应于这些参数的变化，从而驱动拓扑相变。在平均场层面上，一种情形是磁序连续增加，并且不可避免地，费米子能隙在具有非零磁序的拓扑相变点处闭合。超出平均场，由自旋波涨落介导的费米子间相互作用可进一步打开能隙，导致一级相变。另一种情形是在平均场层面上的跨跃变一级相变，在此过程中倾斜磁序不连续地发展，避免了费米子能隙闭合。我们发现两种情形都存在于 Haldane-Hubbard 模型的相图中。我们的预言与近期在冷原子系统中实现 Haldane 模型相关。