混合阶数拓扑相与相变于1H过渡金属化合物
材料科学
2024-12-31 v2 量子物理
摘要
受近期实验观察到混合拓扑态 [Hossain 等, Nature 628, 527 (2024)] 的启发，我们预测1H过渡金属化合物中存在混合阶数拓扑绝缘体，其中在费米能级附近同时存在二阶和一阶拓扑（FOT）态。最初，1H-TMCs由于d轨道带隙表现为二阶拓扑相。当通过晶体场效应使p轨道与d轨道耦合后，出现一阶拓扑特征。这种混合阶数拓扑相的相变可以通过晶体场效应进行调控。结合第一性原理计算，我们以WTe2和NbSe2说明该相变。WTe2在常温条件下表现为混合阶数，而NbSe2在压力下转变为混合阶数。此外，HyOTI中的一阶拓扑带隙表现出强自旋霍尔效应。我们的发现揭示了二维电子材料中的混合阶数拓扑相，并凸显了其在自旋电子器件中的应用前景。
引用
@article{arxiv.2409.13258,
title = {Hybrid-Order Topological Phase And Transition in 1H Transition Metal Compounds},
author = {Ning-Jing Yang and Zhigao Huang and Jian-Min Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.13258},
year = {2024}
}
备注
6 gages, 4 figures