IV族半导体中铁相关缺陷的穆斯堡尔参数：第一性原理计算
材料科学
2016-05-10 v2
摘要
我们采用赝势和全电子密度泛函计算相结合的方法，将超晶胞中缺陷的结构与穆斯堡尔谱实验中观测到的同质异能移和四极分裂联系起来。该方法得到全面评述并应用于技术上相关的硅中铁相关缺陷情况，以及在较小程度上应用于其他IV族宿主。所研究的缺陷包括间隙铁、替代铁、铁-硼对、铁-空位和铁-双空位。我们发现总体上计算与穆斯堡尔数据的一致性在10%误差范围内。然而，我们表明该方法可用于准确指认，包括分离略微不同环境中相似缺陷的峰。
引用
@article{arxiv.1604.08425,
title = {M\"ossbauer parameters of Fe-related defects in group-IV semiconductors: first principles calculations},
author = {E. Wright and J. Coutinho and V. J. B. Torres and S. Öberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08425},
year = {2016}
}