半导体缺陷磁光数据的第一性原理预测：以 4H-SiC 中双空位缺陷为例
材料科学
2018-03-14 v1
摘要
对半导体中磁光活性单点缺陷的研究与设计，因其在量子比特和单光子发射器应用中的潜力而迅速发展。深入理解候选缺陷的性质对这些应用至关重要，需要识别缺陷的微观构型和电子结构。多组分半导体通常存在两种或多种非等效的点缺陷构型。这些构型通常表现出相似的电子结构和基本功能，但在涉及单缺陷应用时至关重要的细节上存在差异。因此，识别点缺陷的非等效构型对于成功的单缺陷操控和应用必不可少。一种有前景的缺陷识别方法是将实验测量结果与第一性原理计算结果进行比较。我们研究了为系统性的量子比特搜索所需的零声子线和超精细耦合参数生成精确从头算数据的可能性。我们重点关注与 4H-SiC 中双空位缺陷可能用于量子比特相关的性质。我们提供了 4H-SiC 中双空位构型的决定性识别，并澄清了先前对 4H-SiC 双空位零声子光致发光谱线预测的差异。
引用
@article{arxiv.1708.04508,
title = {First principles predictions of magneto-optical data for semiconductor defects: the case of divacancy defects in 4H-SiC},
author = {Joel Davidsson and Viktor Ivády and Rickard Armiento and N. T. Son and Adam Gali and Igor Abrikosov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.04508},
year = {2018}
}