Cu相关缺陷电活性及复合机制的混合功能计算
材料科学
2026-04-14 v1
摘要
铜是硅中一种有害杂质，具有高扩散性和强烈的沉淀趋势。铜与其他缺陷的相互作用对于理解硅中铜沉淀的本质至关重要。尽管对硅中铜相关缺陷进行了广泛的实验研究，但由于技术局限于解析缺陷构型，以及理论与实验结果关于跃迁能级的不一致，仍难以全面理解。此外，众所周知的Cu_PL线形成机制仍不明确。本文采用HSE06函数和有限尺寸校正计算硅中Cu相关缺陷的构型、形成能和跃迁能级。研究涉及的缺陷包括Cu_i、Cu_Si、Cu-B、Cu-P和Cu-H。我们提出一种Cu_i4V模型，用于解释关于Cu_PL缺陷的理论与实验之间的差异。我们的计算可能为硅中电活性缺陷及铜沉淀的早期状态提供深入见解。
引用
@article{arxiv.2604.11675,
title = {Hybrid functional calculation of electrical activity and complexing mechanism of Cu-related defects},
author = {Xinyu Shi and Zirui He and An-An Sun and Siqing Shen and Yongli Liang and Hao Hu and Shang-Peng Gao and Meng Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.11675},
year = {2026}
}