FeSe薄膜中的哑铃形缺陷：扫描隧道显微镜与第一性原理研究
超导电性
2016-06-23 v1 强关联电子
摘要
通过引入掺杂剂和原子缺陷，铁基超导体（Fe-SCs）的性质可以发生显著变化。作为一个紧迫的例子，FeSe作为最高铁基超导体的母相，在扫描隧道显微镜（STM）图像中表现出具有原子级“哑铃”特征的普遍缺陷。当这些缺陷的浓度超过2.5%时，它们会破坏超导性。确定它们的化学身份是将其应用于诸如FeSe中超导/非超导区域的纳米级图案化等应用的前提，同时也对超导机制及缺陷破坏超导的路径等基本问题至关重要。我们使用STM和密度泛函理论来表征和识别哑铃形缺陷。与先前关于Se吸附物或替代的推测相反，我们发现Fe位空位是在富Se条件下能量上最有利的缺陷，并且重现了我们观察到的STM特征。我们的计算更广泛地阐明了Se封盖的性质、通过退火去除Fe空位，以及它们在FeSe和相关碱金属掺杂化合物中排列成超结构的机制。
引用
@article{arxiv.1606.07057,
title = {Dumbbell Defects in FeSe Films: A Scanning Tunneling Microscopy and First-Principles Investigation},
author = {Dennis Huang and Tatiana A. Webb and Can-Li Song and Cui-Zu Chang and Jagadeesh S. Moodera and Efthimios Kaxiras and Jennifer E. Hoffman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.07057},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures