M"obius 分子与脆弱 Mott 绝缘体
强关联电子
2014-12-31 v1
摘要
受有机化学中 M"obius 芳香性概念的启发，我们将最近引入的脆弱 Mott 绝缘体 (FMI) 概念推广至具有排斥 Hubbard 相互作用且穿有半量子磁通 () 的环状分子。在此背景下，FMI 是指有限尺寸分子的绝缘基态，若在保持时间反演和晶格平移对称性的前提下，其无法绝热连接至单个 Slater 行列式（即能带绝缘体）。基于对有限 Hubbard 相互作用强度 的精确数值对角化，以及大 极限下一维 Hubbard 模型现有的 Bethe-ansatz 研究，我们建立了具有 和 个格点（ 为整数）的 Hubbard 分子之间的对偶性。具有 个格点的分子在无磁通时为 FMI，但在存在半量子磁通时变为能带绝缘体；而具有 个格点的分子在无磁通时为能带绝缘体，但在存在半量子磁通时变为 FMI。引入次近邻跃迁会产生属于分子点群多维不可约表示的新 FMI 态，从而形成丰富的相图。
引用
@article{arxiv.1409.6732,
title = {M\"obius molecules and fragile Mott insulators},
author = {Lukas Muechler and Joseph Maciejko and Titus Neupert and Roberto Car},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.6732},
year = {2014}
}