氦注入铌酸锂晶体中的低电压纳米畴写入
材料科学
2016-08-14 v1
摘要
使用扫描力显微镜针尖在氦注入的单晶铌酸锂中写入铁电畴，随后通过压电力显微镜进行探测。对样品截面的研究表明，埋入的注入层（位于表面下约1微米）是非铁电的，因此可以作为畴生长的屏障。这一屏障使得在500微米厚的晶体衬底上，仅需向针尖施加10V的电压脉冲，即可写入尺寸小于1微米的稳定表面畴。
引用
@article{arxiv.1009.1907,
title = {Low-voltage nanodomain writing in He-implanted lithium niobate crystals},
author = {M. Lilienblum and A. Ofan and Á. Hoffmann and O. Gaathon and L. Vanamurthy and S. Bakhru and H. Bakhru and R. M. Osgood, and E. Soergel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.1907},
year = {2016}
}