绝缘体上非极性切铌酸锂中纳米空间分辨率宏尺度畴结构的图形化直写
应用物理
2022-01-28 v1
摘要
我们报道了一种图形化畴工程技术，其能够通过扫描原子力显微镜的偏置探针尖，在绝缘体上非极性切铌酸锂薄膜中制备具有纳米空间分辨率的宏尺度畴结构。研究发现，尽管针尖诱导的极化场是镜像对称的，但畴写入过程相对于自发极化 Ps 是不对称的。各种尺寸大于毫米、由纳米级畴单元构成且相对于 Ps 具有任意畴壁倾角的畴结构被图形化设计并直接写入非极性切铌酸锂晶体中。作为原理验证演示，我们制备了周期为 600 nm、深度为 460 nm、长度约 1 mm 的绝缘体上周期性极化 x 切铌酸锂薄膜。该技术在基于绝缘体上铌酸锂的集成光学、光电子学以及畴壁纳米电子学器件应用中具有实用价值。
引用
@article{arxiv.2201.11604,
title = {Graphical Direct-Writing of Macroscale Domain Structures with Nanoscale Spatial Resolution in Non-Polar-Cut Lithium Niobate on Insulators},
author = {Yuezhao Qian and Ziqing Zhang and Yuezhou Liu and Jingjun Xu and Guoquan Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.11604},
year = {2022}
}