压缩 Si/SiGe 腔体中低场磁传输
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们研究了在压缩 Si/SiGe 腔体中揭示出的低场磁传输特征。我们通过将高迁移率 Si/SiGe 二维电子气限制在由电子束光刻和反应离子刻蚀定义的弯曲纳米线几何结构中，制造了压缩 Si/SiGe 腔体。在低温磁阻曲线中观察到的主要特征包括：零场磁阻峰和低场振荡结构。通过采用简单几何模型，我们解释了零场振荡结构的机制，即电子磁场聚焦效应。对零场峰形线状图的详细考察 clearly 显示了与球形弱局域理论预测之间的偏离。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411415,
title = {Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities},
author = {G. Scappucci and L. Di Gaspare and F. Evangelisti and E. Giovine and A. Notargiacomo and R. Leoni and V. Piazza and P. Pingue and F. Beltram},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411415},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Physical Review B, 25 pages, 7 figures