石墨烯腔器件中的低场磁输运

限域和边缘结构已知在二维材料的电子和输运性质中起重要作用。在此，我们报道了光刻图案化石墨烯腔纳米器件的低温磁输运测量。发现低场磁电导特性随载流子密度变化的演化在石墨烯腔和体石墨烯器件中表现出不同行为。在石墨烯腔器件中，我们观察到当费米能级接近狄拉克点时，谷内散射占主导。我们将这种增强的谷内散射归因于受限石墨烯纳米结构中电荷不均匀性和边缘无序的效应。我们还观察到腔器件中载流子的退相率遵循抛物线温度依赖关系，表明直接库仑相互作用散射机制在低温度下主导退相。我们的结果证明了限域在石墨烯纳米结构器件载流子输运中的重要性。