石墨烯中的载流子密度噪声：局域化/离域化陷阱的影响

基于石墨烯的器件在多种电子输运性质（如迁移率和载流子浓度）中表现出 $1/f$ 低频噪声。近期将基于石墨烯的器件集成到电路量子电动力学系统中的实验研究激增，重新引发了人们对低频电荷噪声的兴趣。我们在 McWorther 模型框架内研究石墨烯中的载流子密度噪声，其中噪声由衬底中的电子陷阱引起。我们聚焦于重掺杂 regime，并引入一种简单模型，用陷阱态的单/双自旋占据来描述局域化/离域化陷阱的影响。我们发现，在这两种情况下，石墨烯的载流子谱均服从 $1/f^\alpha$ 幂律行为，其中 $\alpha$ 非常接近 1，并且对每种情况我们评估了偏差 $\beta=1-\alpha$。噪声的幅度被发现依赖于陷阱能量分布和温度。陷阱态的单/双自旋占据仅以二阶影响噪声幅度的温度依赖性。