聚(3-己基噻吩)水栅薄膜晶体管的长期电学特性
应用物理
2022-08-25 v1
摘要
有机水栅薄膜晶体管(WG-TFTs)在开发低成本、高性能生物传感器方面备受关注。器件对测量条件变化的敏感性会损害长期工作，必须注意确保 WG-TFT 传感器响应确实源于传感电极上发生的真实生物识别事件。本工作旨在阐明聚(3-己基噻吩)(P3HT) WG-TFT 在两个月内间歇工作、历经 5750 次测量循环下的长期稳定性。我们在整个测量周期内评估了器件的优值(FOM)，如阈值电压、迁移率与陷阱密度。FOM 的短期变化主要归因于栅电极功函数变化，而长期变化与半导体陷阱密度增加一致。阈值电压偏移与迁移率下降随测量循环次数呈线性变化，并由电应力引起，浸水时间对器件影响可忽略。利用亚阈值斜率估计的陷阱态密度与早前报道的 P3HT OFETs 数值相近，并在器件使用期间逐渐上升、休息后部分恢复，表明形成了短寿命与长寿命陷阱。
引用
@article{arxiv.2208.11486,
title = {Long-term electrical characteristics of a poly-3-hexylthiophene water-gated thin-film transistor},
author = {Axel Luukkonen and Amit Tewari and Kim Björkström and Amir Mohammad Ghafari and Ronald Österbacka and Eleonora Macchia and Fabrizio Torricelli and Luisa Torsi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.11486},
year = {2022}
}
备注
Eight pages and five figures