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磷掺杂硅量子点隧道势垒中的局域化效应

介观与纳米尺度物理 2012-04-26 v4

作者: T. Ferrus , A. Rossi , W. Lin , D. A. Williams , T. Kodera , S. Oda

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摘要

我们在磷掺杂硅量子点中观察到了具有奇异栅极和源漏偏压依赖性的负微分电导。我们在弱局域化框架内讨论了其起源。通过测量不同温度下的电流 - 电压特性以及模拟隧穿率对能量的依赖性，我们证明了浅能级缺陷的存在连同局域化的增强足以解释我们的观测结果。文中还讨论了在磁场中观察到的效应。

关键词

磷掺杂硅量子点负微分电导弱局域化隧道势垒浅能级缺陷电流 - 电压特性磁场效应

引用

@article{arxiv.1109.4804,
  title  = {Localization effects in the tunnel barriers of phosphorus-doped silicon quantum dots},
  author = {T. Ferrus and A. Rossi and W. Lin and D. A. Williams and T. Kodera and S. Oda},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.4804},
  year   = {2012}
}

备注

15 pages